Samsung 990 EVO Plus NVMe M.2 1TB
O Samsung 990 EVO Plus é um SSD interno em formato M.2: uma placa de 9 g que se insere diretamente na ranhura M.2 da placa-mãe ou do portátil, sem cabos nem baías. Ocupa o tamanho padrão M.2 2280 (22 x 80 mm) e funciona com interface PCIe 4.0 NVMe 2.0. Com 1 TB de capacidade há espaço para o sistema operativo, todas as aplicações do dia a dia e um volume amplo de ficheiros sem necessitar de um segundo disco.
7150 MBvelocidade de leitura | 1 TBde armazenamento | 9 gpeso | 1500 Gresistência a choques |
![]() |
Velocidades que se sentem ao arrancar e ao copiar ficheirosA leitura sequencial chega a 7150 MB/s: o sistema operativo arranca em segundos e as aplicações mais pesadas carregam sem espera visível. A escrita sequencial atinge 6300 MB/s, o que torna a transferência de pastas grandes ou a exportação de projetos muito mais rápida. Há um pormenor importante a conhecer antes de comprar: se a placa-mãe tiver apenas ranhura PCIe 3.0, o disco funciona sem problemas, mas a velocidade de leitura baixa aproximadamente para metade. Em equipamentos de geração anterior o desempenho muda de forma notória, embora o disco continue a ser mais rápido do que qualquer disco rígido mecânico. |
O formato M.2 2280 que cabe em quase qualquer placa-mãeO tamanho M.2 2280 é o mais comum: encaixa na grande maioria das placas-mãe de secretária e portáteis modernos com ranhura M.2, sem adaptadores. A instalação resume-se a inserir a placa na ranhura e fixá-la com um parafuso. O terabyte de capacidade dá margem real para não pensar no espaço: sistema operativo, suite de escritório, jogos instalados e ficheiros pessoais coexistem sem que o disco seja um ponto de estrangulamento. | ![]() |
![]() |
Encriptação AES de 256 bits integrada no próprio chipA encriptação ocorre dentro do chip do SSD, não no processador do equipamento, pelo que não há penalização de desempenho. Os dados ficam protegidos com AES de 256 bits de forma transparente para o utilizador. A memória é V-NAND TLC, a tecnologia mais utilizada em SSD de consumo de alto desempenho: combina boa velocidade, durabilidade e preço, e cobre com folga uma utilização doméstica ou de escritório. O MTBF declarado é de 1.500.000 horas, valor dentro do intervalo habitual da categoria, sem se destacar especialmente acima da média. |
Comparativo: Samsung 990 EVO Plus vs Samsung 9100 Pro
| Samsung 990 EVO Plus Este modelo | Samsung 9100 Pro Alternativa | |
| Velocidade de leitura sequencial | 7150 MB/s | 14700 MB/s |
| Capacidade | 1 TB | 1 TB |
| Peso | 9 g | 30 g |
| Resistência a choques em funcionamento | 1500 G | 1500 G a 0,5 ms |
Conteúdo da caixa
- SSD Samsung 990 EVO Plus M.2 2280 1 TB
- Documentação / guia de início rápido
Perguntas frequentes
Em que ranhura se instala o Samsung 990 Evo Plus e funciona em PCIe 3.0?
Necessita de uma ranhura M.2 2280 (22 x 80 mm), presente na grande maioria das placas-mãe de secretária e portáteis modernos. É compatível com PCIe 4.0 e PCIe 3.0; em PCIe 4.0 atinge as velocidades máximas, em PCIe 3.0 o desempenho baixa aproximadamente para metade.
O Samsung 990 Evo Plus tem encriptação de dados?
Sim. Incorpora encriptação por hardware AES de 256 bits integrada no próprio chip do SSD, sem consumir recursos do processador do equipamento. A proteção é transparente para o utilizador e não penaliza o desempenho.
Que tipo de memória utiliza o Samsung 990 Evo Plus?
Memória V-NAND TLC, a mais comum em SSD de consumo de alto desempenho. Combina boa velocidade, durabilidade e preço adequado para uso doméstico e de escritório. O MTBF declarado é de 1.500.000 horas.
Quanto consome o Samsung 990 Evo Plus em repouso?
Em espera consome apenas 0,06 W e com a função DevSleep ativa baixa para 5 mW, o que o torna especialmente eficiente em portáteis onde a autonomia da bateria é importante. Em leitura consome 4,3 W e em escrita 4,2 W.
| Especificações técnicas | |
| Design | |
| Peso | 9 g |
| Dimensões (C x L x A) | 80,2 x 22 x 2,38 mm |
| Largura | 80,2 mm |
| Profundidade | 2,38 mm |
| Altura | 80,2 mm |
| Características | |
| Capacidade | 1 TB |
| Fator de forma | M.2 |
| Interface | PCI Express 4.0 |
| NVMe | Sim |
| Versão NVMe | 2.0 |
| Tipo de memória | V-NAND TLC |
| Tamanho M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Componente para | PC |
| Encriptação por hardware | Sim |
| Algoritmo de segurança | 256-bit AES |
| Velocidade de leitura sequencial | 7150 MB/s |
| Velocidade de escrita sequencial | 6300 MB/s |
| Leitura aleatória (4KB) | 850000 IOPS |
| Escrita aleatória (4KB) | 1350000 IOPS |
| MTBF (tempo médio entre falhas) | 1500000 h |
| Suporte S.M.A.R.T. | Sim |
| Suporte TRIM | Sim |
| Função DevSleep | Sim |
| Gestão de energia | |
| Tensão de funcionamento | 3,3 V |
| Consumo em leitura | 4,3 W |
| Consumo em escrita | 4,2 W |
| Consumo em espera | 0,06 W |
| Consumo DevSleep | 5 mW |
| Consumo elétrico médio (leitura) | 4,3 W |
| Consumo elétrico médio (escrita) | 4,2 W |
| Condições ambientais | |
| Temperatura de funcionamento | 0 - 70 °C |
| Resistência a choques em funcionamento | 1500 G |







