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Samsung 990 EVO Plus NVMe M.2 1TB

O Samsung 990 EVO Plus é um SSD interno em formato M.2: uma placa de 9 g que se insere diretamente na ranhura M.2 da placa-mãe ou do portátil, sem cabos nem baías. Ocupa o tamanho padrão M.2 2280 (22 x 80 mm) e funciona com interface PCIe 4.0 NVMe 2.0. Com 1 TB de capacidade há espaço para o sistema operativo, todas as aplicações do dia a dia e um volume amplo de ficheiros sem necessitar de um segundo disco.

7150 MB

velocidade de leitura

1 TB

de armazenamento

9 g

peso

1500 G

resistência a choques

SSD Samsung 990 EVO Plus 1TB NVMe PCIe 4.0 M.2 2280, detalhe: vista em perspectiva com etiqueta, PCB e conector dourado

Velocidades que se sentem ao arrancar e ao copiar ficheiros

A leitura sequencial chega a 7150 MB/s: o sistema operativo arranca em segundos e as aplicações mais pesadas carregam sem espera visível. A escrita sequencial atinge 6300 MB/s, o que torna a transferência de pastas grandes ou a exportação de projetos muito mais rápida. Há um pormenor importante a conhecer antes de comprar: se a placa-mãe tiver apenas ranhura PCIe 3.0, o disco funciona sem problemas, mas a velocidade de leitura baixa aproximadamente para metade. Em equipamentos de geração anterior o desempenho muda de forma notória, embora o disco continue a ser mais rápido do que qualquer disco rígido mecânico.

O formato M.2 2280 que cabe em quase qualquer placa-mãe

O tamanho M.2 2280 é o mais comum: encaixa na grande maioria das placas-mãe de secretária e portáteis modernos com ranhura M.2, sem adaptadores. A instalação resume-se a inserir a placa na ranhura e fixá-la com um parafuso. O terabyte de capacidade dá margem real para não pensar no espaço: sistema operativo, suite de escritório, jogos instalados e ficheiros pessoais coexistem sem que o disco seja um ponto de estrangulamento.

SSD Samsung 990 EVO Plus 1TB NVMe PCIe 4.0 M.2 2280, vista traseira: PCB preto com etiqueta de certificações e conector
SSD Samsung 990 EVO Plus 1TB NVMe PCIe 4.0 M.2 2280, detalhe: vista em perspectiva com etiqueta, conector dourado e chips

Encriptação AES de 256 bits integrada no próprio chip

A encriptação ocorre dentro do chip do SSD, não no processador do equipamento, pelo que não há penalização de desempenho. Os dados ficam protegidos com AES de 256 bits de forma transparente para o utilizador. A memória é V-NAND TLC, a tecnologia mais utilizada em SSD de consumo de alto desempenho: combina boa velocidade, durabilidade e preço, e cobre com folga uma utilização doméstica ou de escritório. O MTBF declarado é de 1.500.000 horas, valor dentro do intervalo habitual da categoria, sem se destacar especialmente acima da média.

Comparativo: Samsung 990 EVO Plus vs Samsung 9100 Pro

Samsung 990 EVO Plus
Este modelo
Samsung 9100 Pro
Alternativa
Velocidade de leitura sequencial7150 MB/s14700 MB/s
Capacidade1 TB1 TB
Peso9 g30 g
Resistência a choques em funcionamento1500 G1500 G a 0,5 ms

Conteúdo da caixa

  • SSD Samsung 990 EVO Plus M.2 2280 1 TB
  • Documentação / guia de início rápido

Perguntas frequentes

Em que ranhura se instala o Samsung 990 Evo Plus e funciona em PCIe 3.0?

Necessita de uma ranhura M.2 2280 (22 x 80 mm), presente na grande maioria das placas-mãe de secretária e portáteis modernos. É compatível com PCIe 4.0 e PCIe 3.0; em PCIe 4.0 atinge as velocidades máximas, em PCIe 3.0 o desempenho baixa aproximadamente para metade.

O Samsung 990 Evo Plus tem encriptação de dados?

Sim. Incorpora encriptação por hardware AES de 256 bits integrada no próprio chip do SSD, sem consumir recursos do processador do equipamento. A proteção é transparente para o utilizador e não penaliza o desempenho.

Que tipo de memória utiliza o Samsung 990 Evo Plus?

Memória V-NAND TLC, a mais comum em SSD de consumo de alto desempenho. Combina boa velocidade, durabilidade e preço adequado para uso doméstico e de escritório. O MTBF declarado é de 1.500.000 horas.

Quanto consome o Samsung 990 Evo Plus em repouso?

Em espera consome apenas 0,06 W e com a função DevSleep ativa baixa para 5 mW, o que o torna especialmente eficiente em portáteis onde a autonomia da bateria é importante. Em leitura consome 4,3 W e em escrita 4,2 W.

Especificações técnicas
Design
Peso9 g
Dimensões (C x L x A)80,2 x 22 x 2,38 mm
Largura80,2 mm
Profundidade2,38 mm
Altura80,2 mm
Características
Capacidade1 TB
Fator de formaM.2
InterfacePCI Express 4.0
NVMeSim
Versão NVMe2.0
Tipo de memóriaV-NAND TLC
Tamanho M.22280 (22 x 80 mm)
Componente paraPC
Encriptação por hardwareSim
Algoritmo de segurança256-bit AES
Velocidade de leitura sequencial7150 MB/s
Velocidade de escrita sequencial6300 MB/s
Leitura aleatória (4KB)850000 IOPS
Escrita aleatória (4KB)1350000 IOPS
MTBF (tempo médio entre falhas)1500000 h
Suporte S.M.A.R.T.Sim
Suporte TRIMSim
Função DevSleepSim
Gestão de energia
Tensão de funcionamento3,3 V
Consumo em leitura4,3 W
Consumo em escrita4,2 W
Consumo em espera0,06 W
Consumo DevSleep5 mW
Consumo elétrico médio (leitura)4,3 W
Consumo elétrico médio (escrita)4,2 W
Condições ambientais
Temperatura de funcionamento0 - 70 °C
Resistência a choques em funcionamento1500 G
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