Samsung 990 EVO Plus M.2 NVMe 4TB
O Samsung 990 EVO Plus é uma unidade SSD interna em formato M.2 2280: uma placa de 9 g que se instala diretamente na ranhura M.2 da placa-mãe, sem cabos nem baías. A Samsung concebeu-a para reunir 4 TB de capacidade com velocidades próximas do limite do PCIe 4.0, tudo no fator de forma padrão mais comum nas placas de secretária e portáteis atuais.
4 TBde armazenamento | 7250 MBde leitura sequencial | 9 gpeso | 1500 Gresistência a choques |
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Velocidades que chegam ao limite do PCIe 4.0Em leitura sequencial atinge 7250 MB/s e em escrita sequencial 6300 MB/s. Na prática, um ficheiro de vídeo em bruto com vários gigabytes transfere-se em segundos, e o carregamento de jogos a partir desta unidade é praticamente imediato em comparação com um SSD SATA ou PCIe 3.0. O dado mais surpreendente do seu controlador é o comportamento em operações aleatórias: a escrita aleatória chega a 1.400.000 IOPS face a 1.050.000 IOPS em leitura aleatória. Que a escrita supere a leitura em operações pequenas é pouco habitual em SSDs de consumo e indica que o controlador responde especialmente bem em cargas de escrita intensiva, como bases de dados ligeiras, máquinas virtuais ou capturas de ecrã contínuas. Um ponto a ter em conta se a utilização implicar escritas diárias muito elevadas e sustentadas: o dado de durabilidade total de escrita (TBW) não consta na ficha oficial da Samsung para esta unidade. Antes de a adquirir para esse tipo de carga, convém confirmá-lo diretamente com o fabricante. |
Compatibilidade: que ranhura e que equipamento é necessárioEsta unidade utiliza a interface PCIe 4.0 x4 em formato M.2 2280 (22 x 80 mm), o tamanho padrão presente na maioria das placas-mãe de secretária e portáteis fabricados desde 2020 em diante. Para a instalar, o equipamento precisa de uma ranhura M.2 PCIe 4.0 ou 5.0 livre; numa ranhura PCIe 3.0 a unidade funciona, mas a velocidade cai de forma significativa porque a largura de banda da ranhura limita o desempenho do disco, e não o contrário. As ranhuras M.2 SATA não são compatíveis, ainda que o conector pareça fisicamente semelhante: são eletricamente distintas. Se a placa-mãe tiver apenas ranhuras M.2 SATA, esta unidade não é compatível. Antes de comprar, convém consultar o manual da placa-mãe para confirmar que tipo de ranhura M.2 livre tem disponível. | ![]() |
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4 TB de capacidade e memória V-NAND TLCCom 4 TB há espaço para dezenas de instalações de jogos AAA em simultâneo, projetos de edição de vídeo sem mover ficheiros para discos externos e ficheiros de trabalho volumosos sem preocupações de quota a curto prazo. É a capacidade mais elevada disponível neste modelo. A memória V-NAND TLC é a célula padrão nos SSDs de consumo atuais: oferece uma boa relação entre capacidade, velocidade e durabilidade para uso doméstico e criativo. Não é a célula mais resistente que existe, mas cobre sem problemas a utilização quotidiana e semiprofissional. A contrapartida já mencionada na secção de velocidade aplica-se também aqui: para quem preveja escrever dezenas de terabytes por mês de forma sustentada, a ausência do dado TBW na ficha oficial é o único ponto por confirmar antes de fechar a compra. |

Conteúdo da caixa
- Unidade SSD M.2 2280
Perguntas frequentes
Que ranhura M.2 é necessária para funcionar a pleno desempenho?
Requer uma ranhura M.2 PCIe 4.0 ou PCIe 5.0. Em PCIe 3.0 funciona, mas a velocidade cai muito abaixo dos 7250 MB/s. As ranhuras M.2 SATA não são compatíveis, ainda que o conector pareça fisicamente igual.
O Samsung 990 EVO Plus tem encriptação de hardware?
Sim, incorpora encriptação de hardware AES de 256 bits. Não se ativa de forma automática: é necessário ativá-la a partir do sistema operativo ou do firmware da placa-mãe.
Qual é o consumo em repouso?
Em espera consome apenas 0,06 W e com a função DevSleep ativa desce para 5 mW, o que o torna especialmente eficiente em portáteis onde a autonomia da bateria é importante.
| Especificações técnicas | |
| Design | |
| Profundidade | 2,38 mm |
| Peso | 9 g |
| Largura | 80,2 mm |
| Altura | 80,2 mm |
| Características | |
| Capacidade | 4 TB |
| Fator de forma | M.2 |
| Interface | PCI Express 4.0 |
| NVMe | Sim |
| Versão NVMe | 2.0 |
| Tipo de memória | V-NAND TLC |
| Tamanho M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Velocidade de leitura sequencial | 7250 MB/s |
| Velocidade de escrita sequencial | 6300 MB/s |
| Leitura aleatória 4KB | 1050000 IOPS |
| Escrita aleatória 4KB | 1400000 IOPS |
| Encriptação de hardware | Sim |
| Componente para | PC |
| Suporte S.M.A.R.T. | Sim |
| Suporte TRIM | Sim |
| Função DevSleep | Sim |
| Tempo médio entre falhas (MTBF) | 1500000 h |
| Algoritmos de segurança suportados | 256-bit AES |
| Gestão de energia | |
| Tensão de funcionamento | 3,3 V |
| Consumo em leitura | 5,5 W |
| Consumo em escrita | 4,8 W |
| Consumo em espera | 0,06 W |
| Consumo DevSleep | 5 mW |
| Condições ambientais | |
| Temperatura de funcionamento | 0 - 70 °C |
| Resistência a choques | 1500 G |
| Outros | |
| Algoritmo de cifra | 256-bit AES |
| Largura | 80,2 mm |















