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Team Group NV5000 1TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe

El Team Group NV5000 es una unidad SSD de 1 TB en formato M.2 2280: una pastilla de 80 mm que se inserta directamente en la ranura M.2 de la placa base, sin cables ni bahías. Usa la interfaz PCIe 4.0 x4 con protocolo NVMe, lo que la separa de las unidades SATA convencionales en velocidad de transferencia. Team Group la diseñó en torno a dos puntos concretos: velocidades secuenciales altas y una etiqueta disipadora de grafeno integrada para controlar la temperatura sin añadir volumen.

Velocidades que aprovechas si tu placa tiene PCIe 4.0

El fabricante especifica 5000 MB/s de lectura secuencial y 4400 MB/s de escritura secuencial. En la práctica, eso se traduce en arranques del sistema en segundos, carga de partidas o proyectos pesados con esperas mínimas y transferencias de archivos grandes notablemente más rápidas que en una unidad SATA. Para alcanzar esas cifras la placa base necesita una ranura M.2 compatible con PCIe 4.0; con PCIe 3.0 la unidad funciona sin problema pero queda limitada a la velocidad de esa generación. Conviene tenerlo en cuenta antes de comprar. Un aviso adicional: distintos vendedores publican cifras de escritura muy dispares para este modelo, desde 1900 hasta 4400 MB/s; las que tienen mayor respaldo documental son las del fabricante, que son las que aquí se recogen.

Sin DRAM propia: lo que significa para tu uso real

El NV5000 no lleva su propio chip DRAM. En su lugar usa HMB (Host Memory Buffer): toma una pequeña porción de la RAM del sistema para hacer las veces de caché. No es un defecto, es una decisión de diseño con consecuencias concretas. En gaming, arranque del sistema y uso habitual de aplicaciones no hay diferencia apreciable respecto a unidades con DRAM propia. Donde sí puede notarse es en cargas de escritura sostenida muy intensas: mover colecciones de cientos de gigabytes de golpe o hacer backups muy grandes. En esos escenarios el rendimiento puede caer más que en modelos con caché DRAM integrada. Si tu uso habitual no incluye ese tipo de flujos de trabajo, este detalle no te afecta.

Disipación integrada y durabilidad declarada

La unidad incluye una etiqueta disipadora de calor de grafeno patentada por Team Group, pegada directamente sobre los chips. Sirve para evacuar calor sin necesitar un disipador externo de metal, algo útil en placas que no incluyen uno de serie y en portátiles donde el espacio es justo. En cuanto a vida útil, el fabricante declara 320 TBW (terabytes que puedes escribir antes de que la unidad llegue a su límite de garantía) y un MTBF de 2.000.000 horas, con garantía de 3 años. Estos valores son estimaciones del fabricante, no garantías de fallo exacto, pero sirven como referencia para valorar la durabilidad. Según TechPowerUp, el NV5000 es compatible con PS5, lo que lo hace válido para ampliar el almacenamiento interno de la consola, un dato que pocos vendedores mencionan.

Contenido de la caja

  • Unidad SSD M.2 NV5000 1 TB con etiqueta disipadora de grafeno integrada
  • Documentación de inicio rápido

Preguntas frecuentes

¿Qué velocidades de lectura y escritura ofrece el Team Group NV5000 1 TB?

Alcanza 5000 MB/s de lectura secuencial y 4400 MB/s de escritura secuencial, siempre que la placa base disponga de una ranura M.2 compatible con PCIe 4.0. En ranuras PCIe 3.0 funciona, pero queda limitada a la velocidad de esa generación.

¿Es compatible con PS5 para ampliar su almacenamiento interno?

Sí. Según TechPowerUp, el NV5000 es compatible con PS5 y puede instalarse en la ranura M.2 interna de la consola. El formato M.2 2280 y la interfaz PCIe 4.0 x4 NVMe cumplen los requisitos de Sony para la ampliación oficial de almacenamiento.

¿Cuántos años de garantía tiene y cuál es su resistencia a la escritura?

La garantía es de 3 años. El fabricante declara 320 TBW de resistencia a la escritura y un MTBF de 2.000.000 horas. Son estimaciones de referencia, no garantías de fallo exacto, pero indican una durabilidad sólida para uso doméstico y profesional habitual.

Especificaciones técnicas
Diseño
Peso7 g
Dimensiones80 × 22 × 3,7 mm
Potencia y Hardware
Caché DRAMSin DRAM (HMB)
Temperatura de almacenamiento-40 °C a 85 °C
Software
Compatibilidad S.M.A.R.T.Sí
Sistema operativo compatibleWindows 7/8/8.1/10/11, macOS 10.4 o superior, Linux 2.6.33 o superior
Otros
Capacidad1 TB
Factor de formaM.2 2280
InterfazPCIe 4.0 x4 (NVMe)
Protocolo NVMeNVMe 1.4
Velocidad de lectura secuencial5000 MB/s
Velocidad de escritura secuencial4400 MB/s
Tipo de memoria NAND3D NAND TLC
TBW (resistencia)320 TB
MTBF2.000.000 horas
Temperatura de funcionamiento0 °C a 70 °C
Resistencia a golpes1500 G / 0,5 ms
Resistencia a vibraciones20 G @ 80-2000 Hz
Tecnología de refrigeraciónEtiqueta disipadora de calor de grafeno patentada
CertificacionesFCC, RoHS, WEEE
Número de parteTM8FGM001T0C101

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