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Samsung 990 EVO Plus NVMe M.2 1TB

El Samsung 990 EVO Plus es un SSD interno en formato M.2: una tarjeta de 9 g que se inserta directamente en la ranura M.2 de la placa base o del portátil, sin cables ni bahías. Ocupa el tamaño estándar M.2 2280 (22 x 80 mm) y trabaja con interfaz PCIe 4.0 NVMe 2.0. Con 1 TB de capacidad hay hueco para el sistema operativo, todas las aplicaciones del día a día y un volumen amplio de archivos sin necesitar un segundo disco.

7150 MB

velocidad de lectura

1 TB

de almacenamiento

9 g

peso

1500 G

resistencia a golpes

SSD Samsung 990 EVO Plus 1TB NVMe PCIe 4.0 M.2 2280, detalle: vista en perspectiva con etiqueta, PCB y conector dorado

Velocidades que se notan al arrancar y al copiar archivos

La lectura secuencial llega a 7150 MB/s: el sistema operativo arranca en segundos y las aplicaciones pesadas cargan sin espera visible. La escritura secuencial alcanza 6300 MB/s, lo que hace que mover carpetas grandes o exportar proyectos sea rápido. Hay un matiz que conviene conocer antes de comprar: si la placa base solo tiene ranura PCIe 3.0, el disco funciona sin problema, pero la velocidad de lectura baja aproximadamente a la mitad. En equipos de generación anterior el rendimiento cambia de forma notoria, aunque el disco sigue siendo más rápido que cualquier disco duro mecánico.

El formato M.2 2280 que cabe en casi cualquier placa base

El tamaño M.2 2280 es el más extendido: encaja en la práctica totalidad de placas base de escritorio y portátiles modernos con ranura M.2, sin adaptadores. La instalación se reduce a insertar la tarjeta en la ranura y fijarla con un tornillo. El terabyte de capacidad da margen real para no pensar en el espacio: sistema operativo, suite ofimática, juegos instalados y archivos personales conviven sin que el disco suponga un cuello de botella.

SSD Samsung 990 EVO Plus 1TB NVMe PCIe 4.0 M.2 2280, vista trasera: PCB negro con etiqueta de certificaciones y conector
SSD Samsung 990 EVO Plus 1TB NVMe PCIe 4.0 M.2 2280, detalle: vista en perspectiva con etiqueta, conector dorado y chips

Cifrado AES de 256 bits integrado en el propio chip

El cifrado ocurre dentro del chip del SSD, no en el procesador del equipo, así que no hay penalización de rendimiento. Los datos quedan protegidos con AES de 256 bits de forma transparente para el usuario. La memoria es V-NAND TLC, la tecnología más usada en SSD de consumo de alto rendimiento: combina buena velocidad, durabilidad y precio, y cubre con holgura un uso doméstico o de oficina. El MTBF declarado es de 1.500.000 horas, cifra que está dentro del rango habitual de la categoría, sin destacar especialmente por encima.

Comparativa: Samsung 990 EVO Plus frente a Samsung 9100 Pro

Samsung 990 EVO Plus
Este modelo
Samsung 9100 Pro
Alternativa
Velocidad de lectura secuencial7150 MB/s14700 MB/s
Capacidad1 TB1 TB
Peso9 g30 g
Resistencia a golpes en funcionamiento1500 G1500 G a 0,5 ms

Contenido de la caja

  • SSD Samsung 990 EVO Plus M.2 2280 1 TB
  • Documentación / guía de inicio rápido

Preguntas frecuentes

¿En qué ranura se instala el Samsung 990 Evo Plus y funciona en PCIe 3.0?

Necesita una ranura M.2 2280 (22 x 80 mm), presente en la gran mayoría de placas base de escritorio y portátiles modernos. Es compatible con PCIe 4.0 y PCIe 3.0; en PCIe 4.0 alcanza las velocidades máximas, en PCIe 3.0 el rendimiento baja aproximadamente a la mitad.

¿Tiene cifrado de datos el Samsung 990 Evo Plus?

Sí. Incorpora cifrado por hardware AES de 256 bits integrado en el propio chip del SSD, sin consumir recursos del procesador del equipo. La protección es transparente para el usuario y no penaliza el rendimiento.

¿Qué tipo de memoria usa el Samsung 990 Evo Plus?

Memoria V-NAND TLC, la más extendida en SSD de consumo de alto rendimiento. Combina buena velocidad, durabilidad y precio adecuado para uso doméstico y de oficina. El MTBF declarado es de 1.500.000 horas.

¿Cuánto consume el Samsung 990 Evo Plus en reposo?

En espera consume solo 0,06 W y con la función DevSleep activa baja a 5 mW, lo que lo hace especialmente eficiente en portátiles donde el ahorro de batería importa. En lectura consume 4,3 W y en escritura 4,2 W.

Especificaciones técnicas
Diseño
Peso9 g
Dimensiones (largo x ancho x alto)80,2 x 22 x 2,38 mm
Ancho80,2 mm
Profundidad2,38 mm
Altura80,2 mm
Características
Capacidad1 TB
Factor de formaM.2
InterfazPCI Express 4.0
NVMeSí
Versión NVMe2.0
Tipo de memoriaV-NAND TLC
Tamaño M.22280 (22 x 80 mm)
Componente paraPC
Encriptación de hardwareSí
Algoritmo de seguridad256-bit AES
Velocidad de lectura secuencial7150 MB/s
Velocidad de escritura secuencial6300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)1350000 IOPS
MTBF (tiempo medio entre fallos)1500000 h
Soporte S.M.A.R.T.Sí
Soporte TRIMSí
Función DevSleepSí
Control de energía
Voltaje de operación3,3 V
Consumo en lectura4,3 W
Consumo en escritura4,2 W
Consumo en espera0,06 W
Consumo DevSleep5 mW
Consumo eléctrico promedio (lectura)4,3 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)4,2 W
Condiciones ambientales
Temperatura de operación0 - 70 °C
Resistencia a golpes en funcionamiento1500 G
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