Samsung 990 EVO Plus NVMe M.2 1TB
El Samsung 990 EVO Plus es un SSD interno en formato M.2: una tarjeta de 9 g que se inserta directamente en la ranura M.2 de la placa base o del portátil, sin cables ni bahías. Ocupa el tamaño estándar M.2 2280 (22 x 80 mm) y trabaja con interfaz PCIe 4.0 NVMe 2.0. Con 1 TB de capacidad hay hueco para el sistema operativo, todas las aplicaciones del día a día y un volumen amplio de archivos sin necesitar un segundo disco.
7150 MBvelocidad de lectura | 1 TBde almacenamiento | 9 gpeso | 1500 Gresistencia a golpes |
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Velocidades que se notan al arrancar y al copiar archivosLa lectura secuencial llega a 7150 MB/s: el sistema operativo arranca en segundos y las aplicaciones pesadas cargan sin espera visible. La escritura secuencial alcanza 6300 MB/s, lo que hace que mover carpetas grandes o exportar proyectos sea rápido. Hay un matiz que conviene conocer antes de comprar: si la placa base solo tiene ranura PCIe 3.0, el disco funciona sin problema, pero la velocidad de lectura baja aproximadamente a la mitad. En equipos de generación anterior el rendimiento cambia de forma notoria, aunque el disco sigue siendo más rápido que cualquier disco duro mecánico. |
El formato M.2 2280 que cabe en casi cualquier placa baseEl tamaño M.2 2280 es el más extendido: encaja en la práctica totalidad de placas base de escritorio y portátiles modernos con ranura M.2, sin adaptadores. La instalación se reduce a insertar la tarjeta en la ranura y fijarla con un tornillo. El terabyte de capacidad da margen real para no pensar en el espacio: sistema operativo, suite ofimática, juegos instalados y archivos personales conviven sin que el disco suponga un cuello de botella. | ![]() |
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Cifrado AES de 256 bits integrado en el propio chipEl cifrado ocurre dentro del chip del SSD, no en el procesador del equipo, así que no hay penalización de rendimiento. Los datos quedan protegidos con AES de 256 bits de forma transparente para el usuario. La memoria es V-NAND TLC, la tecnología más usada en SSD de consumo de alto rendimiento: combina buena velocidad, durabilidad y precio, y cubre con holgura un uso doméstico o de oficina. El MTBF declarado es de 1.500.000 horas, cifra que está dentro del rango habitual de la categoría, sin destacar especialmente por encima. |
Comparativa: Samsung 990 EVO Plus frente a Samsung 9100 Pro
| Samsung 990 EVO Plus Este modelo | Samsung 9100 Pro Alternativa | |
| Velocidad de lectura secuencial | 7150 MB/s | 14700 MB/s |
| Capacidad | 1 TB | 1 TB |
| Peso | 9 g | 30 g |
| Resistencia a golpes en funcionamiento | 1500 G | 1500 G a 0,5 ms |
Contenido de la caja
- SSD Samsung 990 EVO Plus M.2 2280 1 TB
- Documentación / guía de inicio rápido
Preguntas frecuentes
¿En qué ranura se instala el Samsung 990 Evo Plus y funciona en PCIe 3.0?
Necesita una ranura M.2 2280 (22 x 80 mm), presente en la gran mayoría de placas base de escritorio y portátiles modernos. Es compatible con PCIe 4.0 y PCIe 3.0; en PCIe 4.0 alcanza las velocidades máximas, en PCIe 3.0 el rendimiento baja aproximadamente a la mitad.
¿Tiene cifrado de datos el Samsung 990 Evo Plus?
Sí. Incorpora cifrado por hardware AES de 256 bits integrado en el propio chip del SSD, sin consumir recursos del procesador del equipo. La protección es transparente para el usuario y no penaliza el rendimiento.
¿Qué tipo de memoria usa el Samsung 990 Evo Plus?
Memoria V-NAND TLC, la más extendida en SSD de consumo de alto rendimiento. Combina buena velocidad, durabilidad y precio adecuado para uso doméstico y de oficina. El MTBF declarado es de 1.500.000 horas.
¿Cuánto consume el Samsung 990 Evo Plus en reposo?
En espera consume solo 0,06 W y con la función DevSleep activa baja a 5 mW, lo que lo hace especialmente eficiente en portátiles donde el ahorro de batería importa. En lectura consume 4,3 W y en escritura 4,2 W.
| Especificaciones técnicas | |
| Diseño | |
| Peso | 9 g |
| Dimensiones (largo x ancho x alto) | 80,2 x 22 x 2,38 mm |
| Ancho | 80,2 mm |
| Profundidad | 2,38 mm |
| Altura | 80,2 mm |
| Características | |
| Capacidad | 1 TB |
| Factor de forma | M.2 |
| Interfaz | PCI Express 4.0 |
| NVMe | Sí |
| Versión NVMe | 2.0 |
| Tipo de memoria | V-NAND TLC |
| Tamaño M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Componente para | PC |
| Encriptación de hardware | Sí |
| Algoritmo de seguridad | 256-bit AES |
| Velocidad de lectura secuencial | 7150 MB/s |
| Velocidad de escritura secuencial | 6300 MB/s |
| Lectura aleatoria (4KB) | 850000 IOPS |
| Escritura aleatoria (4KB) | 1350000 IOPS |
| MTBF (tiempo medio entre fallos) | 1500000 h |
| Soporte S.M.A.R.T. | Sí |
| Soporte TRIM | Sí |
| Función DevSleep | Sí |
| Control de energía | |
| Voltaje de operación | 3,3 V |
| Consumo en lectura | 4,3 W |
| Consumo en escritura | 4,2 W |
| Consumo en espera | 0,06 W |
| Consumo DevSleep | 5 mW |
| Consumo eléctrico promedio (lectura) | 4,3 W |
| Consumo eléctrico promedio (escritura) | 4,2 W |
| Condiciones ambientales | |
| Temperatura de operación | 0 - 70 °C |
| Resistencia a golpes en funcionamiento | 1500 G |







