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Intenso MI500 1TB NVMe M.2 PCIe 4.0 2280 5300MB/s SSD

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INTENSOREF: INTENSO-MI5000-1TB
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Intenso MI500 1TB PCIe 4.0 x4 NVMe M.2 2280

El Intenso MI500 es un SSD interno en formato M.2 2280, el tamaño estándar que reconocen la mayoría de placas de sobremesa, portátiles modernos y la PS5. Trabaja con la interfaz PCIe 4.0 x4 y el protocolo NVMe 1.4, la combinación que da acceso al ancho de banda máximo de las plataformas actuales. Con 1 TB de capacidad, pesa 6 g y mide 22 x 80 x 4 mm: ocupa un slot M.2 y nada más.

Velocidades que exigen una ranura PCIe 4.0 de verdad

El MI500 alcanza 5300 MB/s de lectura y 4500 MB/s de escritura secuencial con la versión de 1 TB, cifras oficiales del fabricante. Hay una condición que conviene tener clara: esas velocidades solo se consiguen si el slot M.2 de tu placa o portátil soporta PCIe 4.0. En un equipo con solo PCIe 3.0, la unidad funciona sin problema, pero a velocidades aproximadamente la mitad, porque el ancho de banda disponible es menor. La memoria es 3D NAND con caché SLC, que actúa como acelerador en escrituras cortas y ráfagas. En transferencias continuas de decenas de gigabytes seguidos, ese caché puede agotarse y el rendimiento desciende hasta la velocidad nativa de la NAND. No es un fallo exclusivo de este modelo: es el comportamiento habitual de los SSDs con caché dinámica. Para uso de oficina, juegos o edición ligera el impacto es mínimo; solo en copias masivas y sostenidas se nota.

Durabilidad concreta: 600 TB de escritura garantizados

El fabricante certifica un TBW de 600 TB para este modelo de 1 TB. Traducido a uso real: si escribes 100 GB al día de forma intensa, la unidad aguanta más de 16 años. En uso doméstico o de oficina, esa cifra es muy holgada. El MTBF declarado es de 1.500.000 horas, un indicador de fiabilidad del componente. Al no tener partes móviles, resiste golpes de hasta 1500 G / 0,5 ms, lo que significa que los movimientos bruscos durante la instalación o el transporte del equipo no afectan los datos.

Compatibilidad: dónde encaja este M.2 2280

El formato M.2 2280 es el más extendido: cabe en la práctica totalidad de placas de sobremesa y portátiles con ranura M.2, tanto PCIe 4.0 como PCIe 3.0. La PS5 acepta esta unidad de fábrica sin disipador adicional, aunque Intenso no incluye disipador en la caja. La instalación no requiere herramientas especiales: se inserta en el slot en ángulo y se fija con un tornillo. Recuerda que, para las velocidades máximas de PCIe 4.0, la ranura de tu equipo debe soportar esa generación.

Contenido de la caja

  • Unidad SSD M.2 Intenso MI500 1TB
  • Documentación / guía de inicio rápido

Preguntas frecuentes

¿Qué velocidades de lectura y escritura alcanza el Intenso MI500 1TB?

Con una ranura PCIe 4.0 x4, alcanza 5300 MB/s de lectura y 4500 MB/s de escritura secuencial. En ranuras PCIe 3.0 funciona sin problema, pero las velocidades quedan reducidas aproximadamente a la mitad al estar limitadas por el ancho de banda del bus.

¿Es compatible con la PS5 y necesita disipador?

Sí, el formato M.2 2280 es compatible con la PS5 de fábrica. La consola no exige disipador para instalar el MI500, aunque Intenso no incluye ninguno en la caja. La unidad funciona correctamente sin él.

¿Qué TBW tiene y cuánto dura en uso normal?

El fabricante certifica 600 TB de escritura total (TBW). Escribiendo 100 GB al día de forma intensa, la unidad aguanta más de 16 años. En uso doméstico u ofimático habitual, esa cifra es muy holgada. El MTBF declarado es de 1.500.000 horas.

¿Funciona en una placa o portátil con ranura PCIe 3.0?

Sí, es retrocompatible. La unidad se reconoce y opera sin problema en PCIe 3.0, pero las velocidades quedan limitadas al ancho de banda de ese bus, aproximadamente la mitad de los 5300 MB/s que alcanza en PCIe 4.0. No es compatible con ranuras M.2 solo SATA.

Especificaciones técnicas
Diseño
Peso6 g
Dimensiones22 x 80 x 4 mm
Otros
Capacidad1 TB
InterfazPCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4)
Factor de formaM.2 2280
Velocidad de lectura secuencialHasta 5300 MB/s
Velocidad de escritura secuencialHasta 4500 MB/s (1 TB)
TBW (resistencia de escritura)600 TB
MTBF1.500.000 horas
Resistencia a golpes1500 G / 0,5 ms
Tipo de memoria flash NAND3D NAND con caché SLC
Nivel de ruido0 dB (funcionamiento silencioso)
Soporte de comando SMARTSí

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