Samsung 990 EVO Plus M.2 NVMe 4TB
El Samsung 990 EVO Plus es una unidad SSD interna en formato M.2 2280: una tarjeta de 9 g que se instala directamente en la ranura M.2 de la placa base, sin cables ni bahías. Samsung la concibió para reunir 4 TB de capacidad con velocidades próximas al techo de PCIe 4.0, todo en el factor de forma estándar más extendido en placas de escritorio y portátiles actuales.
4 TBde almacenamiento | 7250 MBde lectura secuencial | 9 gpeso | 1500 Gresistencia a golpes |
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Velocidades que llegan al techo de PCIe 4.0En lectura secuencial alcanza 7250 MB/s y en escritura secuencial 6300 MB/s. En la práctica, un archivo de vídeo en bruto de varios gigabytes se transfiere en segundos, y la carga de juegos desde esta unidad es prácticamente inmediata frente a un SSD SATA o PCIe 3.0. El dato más llamativo de su controlador es el comportamiento en operaciones aleatorias: la escritura aleatoria llega a 1.400.000 IOPS frente a 1.050.000 IOPS en lectura aleatoria. Que la escritura supere a la lectura en operaciones pequeñas es poco habitual en SSDs de consumo e indica que el controlador responde especialmente bien en cargas de escritura intensiva, como bases de datos ligeras, máquinas virtuales o capturas de pantalla continuas. Un punto a tener en cuenta si el uso implica escrituras diarias muy altas y sostenidas: el dato de durabilidad total de escritura (TBW) no figura en la ficha oficial de Samsung para esta unidad. Antes de comprarla para ese tipo de carga, conviene consultarlo directamente con el fabricante. |
Compatibilidad: qué ranura y qué equipo necesitaEsta unidad usa la interfaz PCIe 4.0 x4 en formato M.2 2280 (22 x 80 mm), el tamaño estándar presente en la mayoría de placas base de escritorio y portátiles fabricados desde 2020 en adelante. Para instalarla, el equipo necesita una ranura M.2 PCIe 4.0 o 5.0 libre; en una ranura PCIe 3.0 la unidad funciona, pero la velocidad cae de forma significativa porque el ancho de banda de la ranura limita el rendimiento del disco, no al revés. Las ranuras M.2 SATA no son compatibles aunque el conector parezca similar físicamente: son eléctricamente distintas. Si la placa base solo tiene ranuras M.2 SATA, esta unidad no encaja. Antes de comprar, conviene revisar el manual de la placa base para confirmar qué tipo de ranura M.2 libre tiene disponible. | ![]() |
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4 TB de capacidad y memoria V-NAND TLCCon 4 TB hay espacio para decenas de instalaciones de juegos AAA simultáneas, proyectos de edición de vídeo sin mover archivos a discos externos y archivos de trabajo voluminosos sin preocuparse de cuota a corto plazo. Es la capacidad más alta disponible en este modelo. La memoria V-NAND TLC es la celda estándar en SSDs de consumo actuales: da buena relación entre capacidad, velocidad y durabilidad para uso doméstico y creativo. No es la celda más resistente que existe, pero cubre sin problema el uso cotidiano y semiprofesional. La contrapartida ya mencionada en la sección de velocidad aplica también aquí: para quien prevea escribir decenas de terabytes al mes de forma sostenida, la ausencia del dato TBW en la ficha oficial es el único punto pendiente de confirmar antes de cerrar la compra. |

Contenido de la caja
- Unidad SSD M.2 2280
Preguntas frecuentes
¿Qué ranura M.2 necesita para funcionar a pleno rendimiento?
Requiere una ranura M.2 PCIe 4.0 o PCIe 5.0. En PCIe 3.0 funciona pero la velocidad cae muy por debajo de los 7250 MB/s. Las ranuras M.2 SATA no son compatibles aunque el conector parezca igual físicamente.
¿Tiene cifrado de hardware el Samsung 990 EVO Plus?
Sí, incorpora cifrado de hardware AES de 256 bits. No se activa de forma automática: hay que habilitarlo desde el sistema operativo o el firmware de la placa base.
¿Qué consumo tiene en reposo?
En espera consume solo 0,06 W y con la función DevSleep activa baja a 5 mW, lo que lo hace especialmente eficiente en portátiles donde la autonomía de batería importa.
| Especificaciones técnicas | |
| Diseño | |
| Profundidad | 2,38 mm |
| Peso | 9 g |
| Ancho | 80,2 mm |
| Altura | 80,2 mm |
| Características | |
| Capacidad | 4 TB |
| Factor de forma | M.2 |
| Interfaz | PCI Express 4.0 |
| NVMe | Sí |
| Versión NVMe | 2.0 |
| Tipo de memoria | V-NAND TLC |
| Tamaño M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Velocidad de lectura secuencial | 7250 MB/s |
| Velocidad de escritura secuencial | 6300 MB/s |
| Lectura aleatoria 4KB | 1050000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4KB | 1400000 IOPS |
| Encriptación de hardware | Sí |
| Componente para | PC |
| Soporte S.M.A.R.T. | Sí |
| Soporte TRIM | Sí |
| Función DevSleep | Sí |
| Tiempo medio entre fallos (MTBF) | 1500000 h |
| Algoritmos de seguridad soportados | 256-bit AES |
| Control de energía | |
| Voltaje de operación | 3,3 V |
| Consumo en lectura | 5,5 W |
| Consumo en escritura | 4,8 W |
| Consumo en espera | 0,06 W |
| Consumo DevSleep | 5 mW |
| Condiciones ambientales | |
| Temperatura operativa | 0 - 70 °C |
| Resistencia a golpes | 1500 G |
| Otros | |
| Algoritmo de cifrado | 256-bit AES |
| Anchura | 80,2 mm |















